更新時(shí)間：2024-05-10
產(chǎn)品型號(hào)：GZ-LT-2 帶示波器
廠家性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)次數(shù)：716
GZ-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。
單晶少子壽命測(cè)試儀 少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：GZ-LT-2
| GZ-LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀是參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。 | ||||||||||||||||||||||||
| 本儀器根據(jù)國(guó)際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì)，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測(cè)量數(shù)據(jù)可靠。 | ||||||||||||||||||||||||
| 技 術(shù) 指 標(biāo) ： | ||||||||||||||||||||||||
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